حافظه ترانزیستوری آلی پایدار و انعطاف‌پذیر مهندسانی از دانشگاه کوکمین، واقع در شهر سئول کره جنوبی، موفق به ساخت یک حافظه انعطاف‌پذیرِ مبتنی بر یک ترانزیستور آلی شده‌اند که بنا به گفته آنها می‌تواند به‌سادگی و ارزانی با ترانزیستورها و مدارهای منطقی مجمتع شود و منجر به ساخت افزاره‌های الکترونیکی انعطاف‌پذیر گردد.
به گزارش سرویس علم و فن آوری پایگاه اطلاع رسانی صبا به نقل از نانو، این پژوهشگران در مطالعه خود شرح داده‌اند که این افزاره‌ی حافظه‌ای قادر به فراهم کردن یک ولتاژ آستانه قابل کنترل جهت نوشتن و پاک کردن اطلاعات و زمان‌های ذخیره‌سازی بیشتر از یک سال، است. آن همچنین دارای پایداری بالایی بعد از صدها چرخه نوشتن و پاک کردن و انعطاف‌پذیری بالایی است به‌گونه‌ای که تحمل 1000 بار تکرار چرخه تا و باز کردن را دارد. به‌علاوه، تمام فرایندهای ساخت می‌توانند در دمای پایین انجام شوند و این می‌تواند موجب کاهش هزینه‌ها گردد.

4517
(چپ) عکسی از این افزاره‌های حافظه آلی انعطاف‌پذیر به ابعاد .3*3cm2 (راست) طرحی از ساختار این افزاره حافظه‌ای
این محققان برای طراحی این حافظه، از مزیت افزاره‌های ترانزیستوری آلی موجود، که قبلاً کارآیی فوق‌العاده‌ای از خود نشان داده بودند، استفاده کردند. آنها با جاسازی نانوذرات طلا (به‌عنوان عناصر گیراندازنده‌ی بار) و لایه‌های دی الکتریک (به‌عنوان عناصر مسدودکننده و تونل‌زننده‌ی بار) در داخل ترانزیستورهای لایه‌ نازکِ آلی، توانستند افزاره‌های حافظه‌ای آلی با خواص الکتریکی و مکانیکی شبیه به این ترانزیستورها، درست کنند. این حافظه ترانزیستوری آلی بر روی یک زیرلایه انعطاف‌پذیر به ابعاد .3*3cm2 تولید شد.

مطابق با توضیحات دقیق این پژوهشگران، عملیات‌های نوشتن و پاک کردن با اعمال یک پالس ولتاژ مثبت یا منفی 90 ولتی به مدت یک ثانیه به الکترود درگاه، انجام ‌شدند.

برای نوشتن اطلاعات، یک ولتاژ منفی اعمال شد که باعث گردید حامل‌های بار از طریق یک لایه تونل‌زنی به ضخامت 10 نانومتر جهت رسیدن به نانوذرات طلای موجود در لایه‌ی دی الکتریک درگاه، تونل بزنند. در لایه گیرانداز بار، هر نانوذره 4 تا 5 حفره را به دام می‌اندازد که این محققان از آنها به‌عنوان حالت‌های نوشته شده یاد کردند. این حالت‌های نوشته‌شده ‌توانستند با اعمال یک ولتاژ مثبت، که باعث خروج حفره‌ها از نانوذرات طلا می‌شد، پاک شوند. یک ولتاژ خواندن (8 - ) ولتی ‌توانست جهت اندازه‌گیری و خواندن جریان خروجی ( Drain ) استفاده شود.

این مهندسان نشان دادند که می‌توان عملیات‌های برنامه نویسی، خواندن و پاک کردن را به طور مکرر انجام داد و معایب آن در مقایسه با سایر افزاره‌های حافظه‌ای کمتر است.