همه چیز در مورد حافظه رم و تست های آن

نگاهی به فناوری DUAL CHANNEL

حافظه اصلي سيستم (RAM) يكي از مهم‌ترين بخش‌هاي كامپيوتر است كه معمولاً توجه كمي به آن مي‌شود. پردازنده‌‌هاي امروزي بسيار سريع‌تر از حافظه‌ها هستند و معمولاً براي دسترسي به اطلاعات ذخيره شده در حافظه بايد زماني را در انتظار بمانند در چنين مواقعي پردازنده در وضعيت بيكاري قرار مي‌گيرد و هيچ‌گونه كاري انجام نمي‌دهد (البته در عمل هيچ‌گاه اتفاق نمي‌افتد). اين موضوع سبب شده تا حافظه شبيه به يك گلوگاه شود و كارايي سيستم را تا حد زيادي محدود كند. بنابراين اگر بخواهيد كارايي پردازنده سيستم محدود نشود بايد حافظه‌‌اي سريع‌تر از پردازنده داشته باشيد.

Dual Channel روشي است كه سرعت ارتباطي بين كنترلركننده حافظه و حافظه را دو برابر مي‌كند و موجب بهبود كارايي سيستم مي‌شود. ما در اين مقاله هر آنچه كه لازم است در مورد فناوريDual Channel بدانيد را شرح خواهيم داد. چگونه كار مي‌كند؟ چگونه بايد پيكربندي كرد؟ و چگونگي محاسبه سرعت انتقال اطلاعات و... .
اجازه دهيد قبل از آن‌كه به بررسي نحوه عملكرد حافظه‌هاي Dual Channel بپردازيم، در مورد نحوه ارتباط حافظه با سيستم توضيحاتي را ارائه دهيم. حافظه توسط مدارهايي كه كنترلر حافظه ناميده مي‌شوند كنترل مي‌شود.

اين مدارها به‌طور كلي در سيستم‌هاي مبتني بر پردازنده‌هاي اينتل در چيپ‌ست پل شمالي و در سيستم‌هاي مبتني بر پردازنده‌هاي K8 شركت AMD در درون پردازنده قرار دارد. لازم به ذكر است كه اين كنترلر در پردازنده‌هاي سري K7(به‌عنوان مثال پردازنده‌هاي سري Athlon XP) در چيپ‌ست پل شمالي قرار داشت.

حافظه به واسطه يك سري از سيم‌ها به كنترلر حافظه متصل است. اين سيم‌ها به سه گروه مختلف تقسيم مي‌شوند: داده، آدرس و كنترل. سيم‌هاي مربوط به باس داده، داده‌هاي خواندن و نوشتن را انتقال خواهند داد. در وضعيت خواندن، داده‌ها را از حافظه به كنترلر حافظه و سپس به پردازنده انتقال مي‌دهند و در وضعيت نوشتن، داده‌ها را از پردازنده به كنترلر حافظه و سپس به حافظه انتقال مي‌دهند.

سيم‌هاي مربوط به باس آدرس، مشخص مي‌كنند كه داده‌ها در كدام قسمت حافظه بايد نوشته شود و يا از كدام قسمت حافظه بايد خوانده شود. سيم‌هاي كنترل، فرمان‌ها را به ماژول حافظه ارسال مي‌كنند و مشخص مي‌كنند كه اين داده‌ها چه نوع عملكردي را انجام دهند.

به‌عنوان مثال تعيين مي‌كنند كه داده‌ها مربوط به عمليات خواندن يا نوشتن (ذخيره‌كردن) هستند. در باس كنترل، سيم‌هاي مهم ديگري نيز رايج هستند كه مربوط به فركانس حافظه مي‌شوند


تمامي موارد ذكر شده از جمله نحوه انتقال اطلاعات در يك سيستم مبتني بر اينتل را نمايش مي‌دهد. در پردازنده‌هاي شركت AMD كنترلر حافظه درون پردازنده قرار دارد و بنابراين باس حافظه بدون هيچ‌گونه واسطه‌اي مستقيماً به پردازنده متصل است.

http://www.shabakeh-mag.com/Data/Gal...hannel01_s.jpg

سرعت حافظه (فركانس حافظه)، حداكثر ميزان حافظه پشتيباني شده و نوع حافظه (DDR2 ،DDR و DDR3) توسط چيپ‌ست در سيستم‌هاي مبتني بر پردازنده‌هاي اينتل و در سيستم‌هاي مبتني بر پردازنده‌هاي K8 شركت AMD، توسط پردازنده مشخص مي‌شود.

به‌عنوان مثال سيستم‌هاي مبتني بر پردازنده‌هاي اينتل به دليل آن‌كه چيپ‌ست مادربورد تعيين كننده نوع حافظه است، قادر به پشتيباني از حافظه‌هاي DDR3 هستند، در حالي‌كه سيستم‌هاي مبتني بر پردازنده‌هاي AM2 شركت AMD از آنجا كه كنترلر حافظه درون آن‌ها نمي‌تواند حافظه‌هاي DDR3 را شناسايي كند، در حال حاضر قادر به پشتيباني از اين حافظه‌ها نيستند.

كنترلر حافظه تنها مي‌تواند يك فركانس توليد كند. بنابراين اگر روي سيستمي كه داراي كنترلر حافظه با فركانس 667 مگاهرتز (2×333 مگاهرتز) است حافظه DDR2 800 مگاهرتزي قرار گيرد تنها با فركانس 667 مگاهرتز عمل خواهد كرد. معمولاً اين محدوديت كنترلر حافظه تنها در سيستم‌هاي مبتني بر پردازنده‌هاي اينتل مشاهده مي‌شود.

به‌طوري‌كه پردازنده شركت AMD قادر به پشتيباني از حافظه‌هاي DDR2 800 (پردازنده‌هاي مبتني بر سوكت AM2) يا حداكثر حافظه‌هاي DDR2 1066 (پردازنده‌هاي مبتني بر سوكت +Phenom AM2) هستند. موضوع جالب توجه ديگر مربوط به حداكثر ميزان حافظه‌ا‌ي است كه سيستم مي‌تواند تشخيص دهد.

بيشتر پردازنده‌هاي اينتل داراي باس آدرس حافظه 32 يا 36 بيتي هستند (منظور باس آدرس درون باس خارجي پردازنده FSB است). اين موضوع سبب مي‌شود تا پردازنده به ترتيب ‌قادر به تشخيص حداكثر 4 (32ّ2) و 64 گيگابايت (36ّ2) حافظه باشد، اما از آنجا كه كنترلر حافظه دسترسي به حافظه را تعيين مي‌كند (نه مستقيماً پردازنده) اين موضوع موجب محدوديت حداكثر ميزان حافظه مورد پشتيباني مي‌شود.

به‌عنوان مثال چيپ‌ست‌هاي سري P35 و G33 شركت اينتل مي‌توانند حداكثر از هشت گيگابايت حافظه (دو گيگابايت در هر سوكت حافظه) پشتيباني كنند. سازندگان مادربوردها ممكن است براي كاهش هزينه ساخت و توليد مادربوردهاي ارزان‌قيمت‌تر مادربوردهاي تنها با دو سوكت حافظه توليد كنند. اين موضوع موجب مي‌شود تا مادربوردهاي مبتني بر اين چيپ‌ست‌ها به جاي هشت گيگابايت تنها از چهار گيگابايت حافظه (دو گيگابايت در هر درگاه حافظه و جمعاً چهار گيگابايت) پشتيباني كنند.

به دليل اين‌كه همه انواع ماژول‌هاي حافظه قابل دسترس امروزي 64 بيتي هستند، بنابراين عرض باس حافظه 64 بيت است. فناوري Dual Channel در حقيقت به اين بخش از معماري حافظه توجه كرده است و باس حافظه را از 64 بيت به 128 بيت افزايش داده است.

Dual Channel چيست؟

كنترلر حافظه يك چيپ‌ست اگر به جاي يك عرض باس داده 64 بيتي از يك عرض باس داده 128 بيت استفاده كند، در اصطلاح داراي قابليت Dual Channel است. به عبارت ساده‌تر مادربوردهايي كه داراي چيپ‌ستي با كنترلر حافظه 128 بيتي هستند از قابليت Dual Channel پشتيباني مي‌كنند. توسط اين فناوري نرخ انتقال اطلاعات به‌طور تئوري به ميزان دو برابر افزايش پيدا مي‌كند.

حداكثر نرخ انتقال اطلاعات تئوري (MTTR) از روش زير محاسبه مي‌شود:

8/ تعداد بيت منتقل شده در هر سيکل× تعداد دفعات انتقال در هر سيکل × فرکانس واقعي= MTTR
8/ تعداد بيت انتقال داده شده در هر سيکل × فرکانس MTTR=DDR حافظه‌هاي DDR

حافظه‌هاي مبتني بر فناوري Double Data Rate) DDR) مانند DDR-SDRAM ،DDR2-SDRAM و DDR3-SDRAM مي‌توانند در هر سيكل دو مرتبه اطلاعات را انتقال دهند، اما حافظه‌هاي سنتي SDRAM تنها مي‌توانند در هر سيكل يك مرتبه انتقال اطلاعات انجام دهند. با توجه به اين موضوع حافظه‌هاي مبتني بر معماري DDR معمولاً با دو برابر فركانس واقعي شناسايي مي‌شوند.

به‌عنوان مثال يك حافظه DDR2 800 داراي فركانس 400 مگاهرتز است. بنابراين در فرمول اول بايد در قسمت «تعداد دفعات انتقال در هر سيكل» عدد دو را براي حافظه‌هاي سري DDR قرار دهيد و در صورت استفاده از فرمول دوم لازم است آنچه روي حافظه نوشته شده (به‌عنوان مثال DDR2 800 عدد 800) را قرار دهيد.

با توجه به فرمول‌هاي ذكر شده در بالا نرخ انتقال اطلاعات در يك حافظه DDR2 800 برابر با 6400 مگابايت بر ثانيه است. اگر توجه كرده باشيد برخي از سازندگان حافظه‌ها، ماژول‌هاي حافظه DDR2 800 خود را تحت نام PC2-6400 عرضه مي‌كنند.

اگر فناوري Dual Channel همراه با ماژول‌هاي حافظه DDR2 800 به كار گرفته شود، حداكثر نرخ انتقال اطلاعات تئوري حافظه دو برابر خواهد شد و از 6400 مگابايت بر ثانيه به 12800 مگابايت بر ثانيه افزايش پيدا مي‌كند. دليل اين موضوع نيز كاملاً روشن است، زيرا در هر سيكل به جاي 64 بيت، 128 بيت اطلاعات انتقال پيدا مي‌كند. اين موضوع خيلي مهم است كه به نرخ انتقال اطلاعات از نظر تئوري توجه كنيد.



http://www.shabakeh-mag.com/Data/Gal...hannel02_s.jpg



به‌طور كلي باس داده بين درگاه‌‌هاي حافظه تقسيم مي‌شوند. باس‌هاي كنترل و آدرس روي سوكت حافظه مناسب، در صورتي فعال خواهند شد كه مشخص باشد آدرس در كدام قسمت بايد اطلاعات را ذخيره‌كند يا از كجا خوانده شود. شكل روبه‌رو اين موضوع را به‌طور واضح نمايش مي‌دهد.
سيستم‌هايي كه از فناوري Dual Channel پشتيباني مي‌كنند داراي عرض باس حافظه 128 بيتي هستند. بنابراين 128 سيم براي اتصال كنترلر حافظه و سوكت حافظه وجود دارد.

اين سيم‌ها از D0 تا D127 نامگذاري مي‌شوند. از آنجا كه هر يك از ماژول‌هاي حافظه مي‌توانند تنها 64 بيت داده را در هر سيكل انتقال دهند، دو ماژول حافظه براي پر كردن باس داده 128 بيتي مورد نياز است.

به‌طور كلي براي آن‌كه فناوري Dual Channel فعال شود نياز به تعداد ماژول‌هاي حافظه به صورت زوج است.

اگر سيستم شما از فناوري Dual Channel پشتيباني كند، اما تنها يك ماژول حافظه روي آن قرار گيرد، به‌طور قطع اين فناوري عمل نخواهد كرد، زيرا در هر سيكل تنها 64 بيت داده انتقال پيدا مي‌كند.

دو يا چهار ماژول حافظه براي آن‌كه بتوانند به صورت Dual Channel عمل كنند بايد داراي ظرفيت‌، زمان‌بندي و فركانس يكسان باشند.



http://www.shabakeh-mag.com/Data/Gal...hannel03_s.jpg


فعال كردن حالت Dual Channel
براي فعال كردن Dual Channel نياز به پشتيباني چيپ‌ست و مادربورد (در سيستم‌هاي مبتني بر پردازنده‌هاي اينتل) و پشتيباني پردازنده (درسيستم‌هاي مبتني بر پردازنده‌هاي AMD) و دو يا چهار ماژول حافظه يكسان سازگار با حافظه مورد پشتيباني توسط مادربورد DDR-SDRAM ،DDR2-SDRAM و DDR3-SDRAM) داريد.

پردازنده‌هاي شركت AMD مبتني بر سوكت 939، 940، +AM2، AM2 و F (همچنين مادربوردهاي سوكت 462 كه داراي چيپ‌ست nForce2 هستند) از فناوري Dual Channel پشتيباني مي‌كنند. براي سيستم‌هاي مبتني بر پردازنده‌هاي اينتل نيز لازم است كه به دفترچه راهنماي مادربورد يا وب‌سايت سازنده مادربورد مراجعه كنيد.
اگر تنها يك ماژول حافظه داشته باشيد، نمي‌توانيد از فناوري Dual Channel استفاده كنيد. بنابراين اگر قصد داريد سيستمي تهيه كنيد كه دو گيگابايت حافظه داشته باشد بهتر است دو عدد ماژول يك گيگابايتي به جاي يك ماژول دو گيگابايتي داشته باشيد، زيرا در اين صورت مي‌توانيد از ويژگي Dual Channel كه موجب افزايش كارايي مي‌شود، استفاده كنيد.

اگر مادربورد شما تنها دو اسلا‌ت حافظه داشته باشد براي فعال كردن ويژگي Dual Channel بايد درون هر دو اسلا‌ت، ماژول حافظه قرار دهيد. مادربوردهايي كه داراي چهار اسلا‌ت حافظه هستند روش‌هاي متفاوتي براي فعال كردن ويژگي Dual Channel دارند.

اگر شما چهار ماژول حافظه يكسان داشته باشيد، با قرار دادن آن‌ها روي چهار اسلا‌ت حافظه مي‌توانيد از ويژگي Dual Channel استفاده كنيد، اما اگر داراي دو ماژول حافظه هستيد بايد به روش زير عمل كنيد.

http://www.shabakeh-mag.com/Data/Gal...hannel04_s.jpg


در مادربوردهاي مبتني بر پردازنده‌هاي اينتل بايد يكي از حافظه‌ها را در اسلا‌ت يك و ديگري را در اسلا‌ت سه يا يكي از حافظه‌ها را درون اسلا‌ت دو و ديگري را در اسلا‌ت چهار قرار دهيد. بيشتر سازندگان مادربوردها با رنگ‌بندي متفاوت نحوه قرار دادن حافظه‌ها را مشخص كرده‌اند.

براي استفاده از پيكربندي Dual Channel در اين مادربوردها لازم است كه حافظه‌ها را در اسلا‌ت‌هاي همرنگ قرار دهيد.

توجه: پيكربندي Dual Channel در بعضي مادربوردها مطابق روش ذكر شده در بالا نيست و براي فعال شدن حالت دو كاناله بايد حافظه را روي اسلات‌هاي يك و دو يا سه و چهار قرار داد.


http://www.shabakeh-mag.com/Data/Gal...hannel05_s.jpg


اجازه دهيد اكنون توضيحات فني بيشتري ارائه كنيم. اسلا‌ت يك و دو به‌طور فيزيكي متصل به كانال A هستند، در صورتي‌كه اسلا‌ت سه و چهار متصل به كانال Bهستند.

زماني‌كه شما ماژول‌هاي حافظه را روي اسلا‌ت يك و سه يا دو و چهار نصب مي‌كنيد يعني شما هر ماژول حافظه را روي يك كانال متفاوت نصب كرده‌ايد، بنابراين هر دو باس 64 بيتي فعال مي‌شوند و عرض باس حافظه به 128 بيت افزايش پيدا مي‌كند.

اگر شما حافظه‌ها را درون كانال‌هاي يكسان قرار دهيد (نصب كردن حافظه‌ها روي كانال يك و دو يا سه و چهار) كنترلر حافظه تنها يك باس 64 بيتي را خواهد ديد و بنابراين سيستم در وضعيت Single Channel عمل مي‌كند.
فعال كردن قابليت Dual Channel روي سيستم‌هاي مبتني بر پردازنده‌هاي AMD كمي متفاوت است. براي فعال كردن قابليت Dual Channel در مادربوردهاي مبتني بر پردازنده‌هاي AMD نيز بايد از حافظه‌هاي يكسان و يك جور استفاده كرد، اما با اين تفاوت كه در اين مادربوردها اسلات‌ها به صورت يك در ميان با يكديگر Dual Channelنمي‌شوند.

به عبارت ساده‌تر براي پيكربندي Dual Channel در تمامي مادربوردهاي AMD (شامل MSI) بايد حافظه‌ها را درون اسلا‌ت‌هاي همرنگ قرار داد.

در شكل روبه‌رو يك مادربورد مبتني بر پردازنده‌هاي AMD كه اسلا‌ت يك و دو آن زرد و اسلا‌ت سه و چهار آن بنفش است نمايش داده شده است. براي پيكربندي Dual Channel در اين مادربورد تنها لازم است كه حافظه‌ها را درون اسلا‌ت‌هاي همرنگ قرار داد.


http://www.shabakeh-mag.com/Data/Gal...hannel06_s.jpg


بررسي فعال شدن Dual Channel


بعد از پيكربندي Dual Channel لازم است بررسي شود كه آيا حافظه‌ها در اين وضعيت عمل مي‌كنند يا خير ؟ بيشتر مادربوردهاي رايج، اطلاعات مربوط به وضعيت Dual Channel را در صفحه POST (صفحه سياه رنگي كه بعد از روشن كردن سيستم ديده مي‌شود و مشخصات پردازنده، مادربورد، ميزان حافظه و هارد‌ديسك‌ها را نمايش مي‌دهد) نشان مي‌دهند.

در اين صفحه در صورتي‌كه مادربورد در وضعيت Dual Channel قرار گرفته باشد، عبارت Dual Channel و در غير اين‌صورت عبارت Single Channel نمايش داده خواهد شد.


http://www.shabakeh-mag.com/Data/Gal...hannel07_s.jpg
روش ديگر، استفاده از برنامه‌هاي تشخيص مشخصات‌ سخت افزار است. ما توصيه مي‌كنيم از نرم‌افزار CPU-Zبراي بررسي اطلاعات مربوط به حافظه استفاده كنيد.

در اين برنامه و در منوي Memory گزينه‌اي به نام #Channels وجود دارد. در صورتي‌كه جلوي اين گزينه عبارت Dual درج شده باشد به اين معني است كه سيستم در وضعيت Dual Channel عمل مي‌كند.

در اين منو همچنين مي‌توان اطلاعاتي در مورد فركانس حافظه و نحوه زمان‌بندي آن به دست آورد.

لازم به ذكر است كه در بخش فركانس حافظه، فركانس واقعي حافظه نمايش داده مي‌شود كه بايد ضربدر عدد دو (در صورت استفاده از حافظه‌هاي خانواده DDR) شود.

در شكل زير فركانس حافظه مورد استفاده ما 333 نمايش داده شده است، اما در حقيقت اين حافظه يك DDR2 667 است.

http://www.shabakeh-mag.com/Data/Gal...hannel08_s.jpg

Timing چیست ؟


Timing از اساسی ترین مواردی است كه كاربران حرفه ای و خصوصا OverClocker ها به آن توجه می كنند . این مسئله باعث می شود حتی دو ماژول رم با سرعت انتقال یكسان , كارآیی متفاوتی داشته باشند . در مقاله سعی می شود توضیحات و معرفی تایمینگ و تاثیر آنم صحبت شود
به شكل زیر دقت كنید :


http://www.farassoo.com/iran/images/timing.gif


تایمینگ معمولا عددی است به شكل : ۲-۲-۲-۵-T۱



و هر كدام از این اعداد دارای تعریفی هستند و بر اساس Clock Cycle محاسبه می شوند .
( مقدار Clock Cycle هایی را نشان می دهد كه حافظه برای انجام یك عملیات خاص مصرف می كند )
این اعداد به ترتیب از چپ به راست CL – tRCD – tRP – tRAS - CMD نامیده میشوند . برای فهمیدن اساس كار این ارقام بهتر است در ذهن خود چنین تصور كنید كه داده ها در یك تقاطع بصورت سطری و ستونی قرار گرفته اند ( چیزی شبیه ماتریس )

ابتدا تعریف كلی از این اصطلاحات خواهیم داشت و سپس موارد اصلی را بطور كامل بررسی خواهیم كرد :

(CAS Latency ( CL : مدت زمان تاخیر بین دستور داده شده از طرف CPU تا هنگام ارسال جواب است . ( زمان بین درخواست CPU و ارسال داده از طرف حافظه )

tRCD : تاخیر RAS to CAS – زمان بین فعالسازی سطر ( RAS ) تا فعالسازی ستون ( CAS ) . جایی كه داده در ماتریس ذخیره شده است .

tRP : RAS Precharge: زمانی كه طول می كشد تا دسترسی به سطر فعلی غیر فعال شود و دسترسی به سطر دیگر فعال شود .

tRAS : Active To Prechare Delay : مدت زمانی است كه حافظه باید صبر می كند تا دسترسی بعدی به حافظه بتواند آغاز شود .

CMD : Command Rate : مدت زمانی است بین فعال شدن Memory Chip و فرستادن واولین دستور به حافظه . معمولا در اكثر موارد این عدد نادیده گرفته می شود .


( مقدار آن یا T۱ است به معنای ۱ Clock Cyle یا T۲ به معنای ۲ Clock Cycle )

تا اینجا بطور كوتاه بررسی كردیم كه اصولا تایمینگ چیست و چه كاری انجام می دهد . در اكثر موارد در سیستم خود ۲ حالت را پیش رو دارید . یا با انتخاب حالت اتوماتیك سیستم را در حالتی قرار می دهید كه بصورت اتوماتیك تایمینگ را تنظیم كند یا با تنظیم دستی Timing را كاهش می دهید تا كارآیی بهتری را بدست آورید . البته باید بدانید همه مادربورد ها امكان تغییر تایمینگ را ندارند بنابراین ممكن است بطور پیش فرض ان را در بالاترین حالت قرار دهند !

نكته دیگر اینكه در Over Clocking با افزایش تایمینگ می توان به Clock بالاتری رسید اما در اكثر موارد كارایی كل كاهش می یابد . اما اگر دقت كتید حافظه هایی هستند كه در بازار مخصوص Over Clock به فروش می رسند . این حافظه ها با داشتن تایمیگ بالا این امكان را می دهند كه بدون تغییر تایمینگ Clock را تا حداكثر مقدار ممكن بالا برد .

حال به توضیح تك تك پارامتر های تایمینگ می پردازیم :

● CL – CAS Latency

همانطور كه قبلا اشاره شد CL معروفترین پارامتر تایمینگ است . این پارامتر به ما می گوید كه چه تعداد Clock ycle تاخیر خواهد داشت تا داده درخواستی را باز گردند . برای مثال یك حافظه با CL=۳ تاخیری برابر ۳ Clock Cycle برای ارایه داده خواهد داشت . یا CL=۵ كه در مقایسه با اولی ( هر دو با Clock Rate یكسان ) كند تر است . باید دانست كه در این تعریف منظور از Clock همان كلاك واقعی است كه ماژول حافظه می تواند با آن كار كند .

( كلاك واقعی : نصف مقداری كه بر روی ماژول های رم نوشته شده : DDR۴۰۰ à ۲۰۰ Mhz )
با توجه به اینكه حافظه های DDR/DDR۲ در واحد زمان دو بار داده ارسال می كنند , كلاك واقعی انها دو برابر شده و بر روی آنها نوشته می شود . می دانیم كه T=۱/F كه F كلاك واقعی است . برای مثال :

DDR۲-۵۳۳ à ۲۶۶ Mhz real Clock

▪ در نتیجه : T=۱/۲۶۶ كه برابر با ۳.۷۵ نانو ثانیه است .

حال با CL های متفاوت خواهیم داشت :
CL=۳ ۳ * ۳.۷۵ = ۱۱.۷۵ ns
CL=۵ ۵ * ۳.۷۵ = ۱۸.۷۵ ns

با مثال فوق به راحتی می توان تاخیر رم را با توجه به تایمینگ متفاوت متوجه شد .

نكته بسیار مهم این است كه حافظه های SD – DDR – DDR۲ بصورت مد پشت سرهم ( Burst Mode ) عمل می كنند . یعنی اگر آدرس داده بعدی ( پس از دریافت اولین داده ) درست پس از داده فعلی بر روی خط ادرس قرار گیرد آنگاه داده برای خروج تنها یك سیكل تاخیر خواهد داشت . بنابراین اگر چه داده درخواستی اولیه به اندازه CL تاخیر خواهد داشت اما داده بعدی درست به اندازه یك سیكل تاخیر داشته و ارایه خواهد شد . باید توجه داشت این حالت زمانی اتفاق می افتد كه آدرس داده بعد درست پس از داده فعلی در خط ادرس قرر گیرد .

● (RAS to CAS Delay ( tRCD

هر چیپ حافظه بصورت یك ماتریس سازماندهی شده است . در تقاطع هر سطر و ستون یك خازن خواهیم داشت كه وظیفه نگه داری ۰ یا ۱ را داراست . در داخل هر چیپ حافظه پروسه دسترسی به داده ذخیره شده توسط فعالسازی سطر و ستونی كه داده در انجا قرار گرفته است , صورت می پذیرد . این Activation با دو دستور كنترلی با نام های RAS ( سیگنال فعالسازی سطر ) و CAS ( سیگنال فعالسازی ستون ) انجام خوهد شد . زمان كمتر بین فعالسازی این دو دستور سبب افزایش سرعت دسترسی می شود و داده سریعتر خوانده می شود . همانطور كه در بحث CL مطرح شد اینجا نیز تعداد تاخیز بر مبنای Cock واقعی محاسبه خواهد شد . هر چه این پارامتر كمتر باشد سرعت خواندن و نوشتن در حافظه بیشتر خواهد شد .

● RAS Precharge

بعد از اینكه داده از حافظه گرفته شد یك دستور احتیاج است تا سطر فعال فعلی را كه برای داده استفاده شده است ببندد وحافظه را برای فعالسازی بعدی آماده كند . RAS Precharge در واقع زمان مصرفی بین دستور Precharge تا دستور Active بعدی است . قبلا دانستیم كه دستور Active یك عملیات خواندن یا نوشتن را آغاز می كند .

● دیگر پارامتر ها ...

بهتر است به دو مورد آخر نیز نگاهی بیاندازیم :
۱ ) tRas یا Active to Precharge Delay : بعد از اینكه یك دستور Active ایجاد شد یك دستور Precharge دیگر نمی تواند ایجاد شود تا زمانیكه tRAS بگذرد . لذا این پارامتر زمانی را كه حافظه می تواند سطر دیگری را بخواند یا بنویسد محدود می كند .

۲ ) Command Rate زمانی است بین فعال شدن یك چیپ حافظه ( از طریق پایه Chip Select ) تا زمان ارسال اولین دستور خارجی . بطور معمول این پارامتر بصورت زیر است :

ـ T۱ : تاخیر ۱ سیكل .
ـ T۲ : تاخیر ۲ سیكل .

http://cdn.forum.patoghu.com/images/icons/icon1.png

SDRAM چیست

اگر چه حافظهSDRAM از سالها قبل در دسترس بوده است،اما هنوز درباره سرعت و امتیازات عملكرد آن اطلاعات درستی در بازار ارائه نمی شود. حتی بسیاری از تولیدكنندگانی كه این محصول را به فروش می رسانند و وب سایتهایی كه ادعا دارند ابهام موجود درباره این اصطلاح را برطرف خواهند كرد، به درستی این فناوری را درك نكرده و به پیچیده تر شدن این مشكل كمك می كنند. در نتیجه، كاربران نمیدانند كه كدام ماجول با PC۱۰۰ سازگار است یا بین CAS۲ و CAS۳ كدامیك را انتخاب كنند و یا اینكه PC۱۰۰ SDRAM روی یك مادر برد قدیمیكار خواهد كرد یا خیر .


اصول مقدماتی حافظهDRAM

برای درك تفاوتهای موجود بین حافظه هایSDRAM ، ارائه تاریخچه و توصیف مختصری درباره فناوری DRAM حافظه RAM پویا، ضروری است. حافظه هایی از نوعFast Page Mode DRAM (FPM)، Extended Data Out DRAM (EDO) وSynchronous DRAM (SDRAM) ، همگی دارای هسته اصلی DRAM هستند .اصطلاح DRAM به معنی حافظه پویا با دستیابی تصادفی است و وجه تسمیه آن به این دلیل است كه سلولهای حاوی دادهها باید هر چند مدت یكبار نوسازی شوند، در حالی كه حافظه RAM ایستا (SRAM) تا زمانی كه برق در كامپیوتر جریان دارد، دادهها را حفظ می كند. تراشه های DRAM از شبكه ای از خازنها و یك ردیف ترانزیستور در بالای این شبكه تشكیل شدهاند .

خازنها سلولهای حافظه هستند كه دادهها را ذخیره می كنند و ترانزیستورها تقویت كننده های حسی هستند كه داده ها را خوانده، تقویت كرده و برای انتقال بهCPU ، به گذرگاه حافظه ارسال می كنند. خازنها به دلیل اینكه از ترانزیستورها ارزانتر هستند مورد استفاده قرار می گیرند، از طرفی كندتر از ترانزیستورها هستند و به علاوه باید هرازگاهی شارژ شوند .

تمام تراشه های DRAM از یك عملیات دسترسی پایهای یكسان خواندن یا نوشتن استفاده می كنند كه در ادامه شرح داده خواهد شد .تمام تراشه های حافظه محتوای خود را در یك مربع منطقی از سلولها نگاه می دارند كه از طریق ارائه آدرس یك سطر و ستون در دسترس قرار می گیرند .برای خواندن دادهها، ردیف اول با استفاده از فرمان یا "Row Address Strobe" كه به صورت اختصار "RAS" با یك خط روی آن یا "/RAS" نشان داده میشود در دسترس قرار میگیرد .

در نتیجه، تمام دادههای موجود در یك ردیف به تقویت كننده های حسی منتقل می شوند .در مرحله بعدی، یك سیگنال به خط یا كه به اختصار به صورت نشان داده می شود ارسال شده و سلول خاصی در شبكه كه حاوی اطلاعات مورد نظر است، انتخاب می شود. سپس محتوای این سلول از تقویت كننده حسی به گذرگاه ارسال می شود. این فرآیند هر بار كه دسترسی به حافظه مورد نیاز باشد، تكرار می شود .

تعداد بیتهای خروجی از هر تراشه حافظه در عملیات خواندن، به پیكربندی خاص تراشه بستگی دارد .این به نوبه خود تعداد تراشه هایی را كه در یك ماجول خاص موجود هستند، معین میكند .اگر به مشخصه های یك تراشه نگاه كنید، ممكن است پیكربندی آن ۴*۴ یا ۸*۸ باشد .این مشخصات نشاندهنده آن هستند كه ۴ میلیون سلول وجود دارد كه هر یك ۴ بیت فضا دارند تراشه ۱۶ مگابیتی با پهنای ۴ بیت یا ۸ میلیون سلول وجود دارد كه هر یك دارای ۸ بیت فضا هستند تراشه ۶۴ مگابیتی با پهنای ۸ بیت .

برای پر كردن گذرگاه (bus) باید تعداد تراشهها در هر ماجول كافی باشد این فرآیند، ساخت یك بانك حافظه نام دارد .كامپیوترهای شخصی مدرن از گذرگاه داده ۶۴ (data bus) بیتی استفاده میكنند، بنابراین در هر زمان، ۶۴ بیت داده خوانده میشود .این بدان معناست كه اگر از تراشه هایی با پهنای ۴ بیت استفاده می كنید به حداقل ۱۶ تراشه نیاز دارید و اگر پهنای تراشه ۸ بیت باشد، به حداقل ۸ تراشه نیازمند خواهید بود. البته در عمل تراشه های DRAM مدرن یا به صورت ۳۲ SIMM بیتی یا تراشه ۶۴ DIMM بیتی عرضه می شوند .اگر از تراشههای SIMM استفاده می كنید، باید یك جفت از آنها را تهیه كنید تا همیشه حافظه ۶۴ بیتی را در اختیار داشته باشید .

تفاوت بین DRAM SDRAM سنكرون و DRAM آسنكرون غیرهمزمان چیست؟

هر یك از عملیات لازم برای خواندن یا نوشتن در حافظه، برای تكمیل به مدت زمان خاصی نیاز دارد .تا زمانی كه عملیات قبلی تكمیل نشده است، عملیات بعدی نمیتواند آغاز شود .به عبارت دیگر یك تاخیر توكار وجود دارد كه باید قبل از در دسترس قرار گرفتن اولین قطعه داده در گذرگاه، سپری شود .این تاخیر در تمام تراشه های DRAM كنونی، از جملهSDRAM ، بین ۴۰ تا ۶۰ نانو ثانیه است .تفاوت بین SDRAM و DRAM آسنكرون مانند FPM یاEDO ، در نحوه مدیریت عملیات خواندن پی در پی پس از اولین بار است .

برای هر دور دسترسی باFPM ، فقط فرآیند خط> /CAS تكمیل میشود <تا به داده مورد نظر بعدی اشاره كند ممكن است این داده درست در مجاورت سلول قبلی باشد یا نباشد . با این حال، دادهها فقط در صورتی منتقل میشوند كه خط /CAS فعال شود EDO .نیز عملیاتی مشابه با FPM دارد، با این تفاوت كه وقتی فرآیند خط /CAS تكمیل میشود، دادههای موجود در خط خروجی هنوز تا تكمیل دسترسی به ستون بعدی، قابل انتقال هستند .این امر، انتقال داده و سیكلهای CAS را تقریبا همزمان میكند .درنتیجه هر یك از سیكلها تا حدودی>كوتاه میشوند<، ولی هنوز از همان مقدار زمان برای انتقال داده استفاده می كنند .از این رو EDO قدری سریعتر از FPM است، اما در اصل فناوریهای به كار رفته در آنها یكسان هستند .

SDRAMاز چند نظر با FPM و EDO متفاوت است .نخست اینكه به جای یك بانك حافظه، دو بانك حافظه داخلی دارد .هنگامی كه بانك اول انتقال داده را آغاز می كند، بانك دوم به پیششارژفعال كردن RAS و CAS مشغول است و برعكس .این قابلیت دراصل دوره تاخیر را برای تمام موارد دسترسی پس از مورد اول، از بین می برد. به علاوه، SDRAM قابلیت حالت انتقال با سرعت بالا (burst mode)نیز دارد .این قابلیت، بدون تكمیل فرآیند خط /CAS امكان انتقال سلولهای چندگانه را فراهم می كند. این عملیات باعث میشود حتی با وجود اینكه عملیات داخلی واقعی در اصل یكسان هستند، SDRAM از FPM یا EDO سریعتر شود.

آشنایی با مشخصه های زمانبندیSDRAM

حال كه تا حدودی با عملیات درونی تراشهها آشنا شدهاید میتوانید این عملیات را با زمانبندی خارجی كه بسیاری از فروشندگان و بازاریابان به آن اشاره می كنند، ربط دهید .همان طور كه ذكر شد، برای تكمیل هر یك از عملیات به مقدار محدودی زمان نیاز است .همچنین هر یك از این عملیات نماد زمانبندی مخصوص به خود دارند .

در اینجا بر نمادهای مرتبط با SDRAM تمركز میكنیم، زیرا چند عملیات اضافی مانند رفتن از یك بانك به بانك دیگر وجود دارند كه EDO و FPM فاقد آنها هستند .این نمادها همیشه به صورت "tCAC" نوشته میشود كه به معنی Collumn Access time است و حداقل نانو ثانیه لازم برای تكمیل عملیات را مشخص می كند .

اولین نماد معروف زمانبندی، نماد tCLK معرف سرعت ساعت سیستم است .اگر CPU شما با سرعت ۲۳۳ مگاهرتز ۳/۵*۶۶ مگاهرتز كار میكند، ساعت سیستم شما با سرعت ۶۶ میلیون دور در ثانیه كار میكند .این سرعت حدود ۱۵ نانو ثانیه برای tCLK است طول سیكل ساعت در نانو ثانیه را میتوان با در نظر گرفتن نقطه متقابل سرعت ساعت محاسبه كرد۱ :تقسیم بر ۶۶/۶ میلیون سیكل در ثانیه ۱۵x۱۰- ۹= ثانیه در هر سیكل یا ۱۵ نانو ثانیه در هر سیكل ساعت . به عبارت دیگر، هر سیكل ساعت ۱۵ نانو ثانیه طول می كشد.

اصطلاح همزمان یا سنكرون در حافظه SDRAM به این معنی است كه هر عملیات درتراشه به طور همزمان با ساعت سیستم به وقوع می پیوندد. بنابراین، هر عملیاتی كه در ۱۵ نانوثانیه یا كمتر تكمیل شود، میتواند در هر سیكل ساعت به وقوع بپیوندد با سرعت ۶۶ مگاهرتز، اما هر عملیاتی كه بین ۱۶ تا ۳۰ نانو ثانیه طول بكشد، به دو سیكل ساعت نیاز دارد .توجه داشته باشید كه اگر سرعت ساعت سیستم ۱۰۰ مگاهرتز باشد، مانند سیستمهای جدید كه با سرعت ۳۵۰+ مگاهرتز كار میكنند، معادل با یك سیكل ساعت ۱۰ نانوثانیهای است .البته این بدان معنی است كه اگر SDRAM بخواهد فعالیتهایش را در یك سیكل ساعت كامل كند، در سرعت ۱۰۰ مگاهرتز همه چیز باید بسیار سریعتر از زمانی كه سرعت۶۶ مگاهرتز است، به وقوع بپیوندد .در زیر به زمانبندی خود حافظه توجه كنید .

برایSDRAM ، پنج زمانبندی مهم وجود دارد:

- زمان لازم برای سویچ كردن بین بانكهای داخلی(tRP)
- زمان لازم برای دسترسی بین /RAS و(tRCD)/CAS
- زمان لازم برای آماده شدن برای خروجی بعدی در حالت انتقال با سرعت بالا(tAC)
- زمان دسترسی ستونی(tCAC)
- زمان لازم برای آماده كردن دادهها قبل از رسیدن سیكل ساعت بعدی در حالت انتقال با سرعت بالا زمان سیكل خواندن.

هر یك از عوامل موثر در زمانبندی، در مشخص كردن عملكرد كلی سیستمها نقش دارند .از پنج عامل فوق، معمولا به دو عامل در فرهنگ بازاریابی و فروش، اشاره میشود:زمان سیكل خواندن و tCAC اگر چه هرگز به این نام خوانده نمیشوند زمانبندی مهم دیگر، زمان دسترسی یا tAC است.

باید خاطر نشان شود كه وقتی تراشه SDRAM با ۱۰ نانو ثانیه یا ۸ نانوثانیه مشخص میشود ، آنچه در واقع مورد سنجش قرار گرفته، زمان سیكل خواندن است

آموزش تعویض هیتسینگ ماژول حافظه

بسياري از ماژول‌هاي حافظه که تا به حال با آنها مواجه شده‌ايد داراي هيتسينک هستند. ما امروز قصد داريم نحوه جدا کردن اين هيتسينک‌ها را به شما نشان دهيم. ضمن اينکه با چگونگي جايگزيني اين هيتسينک با خنک‌کننده‌هاي پيشرفته مخصوص رم نيز آشنا خواهيد شد.


قبل از شروع کار تاکيد مي‌کنيم که در طي مراحل جدا کردن هيتسينک رم، احتمال شکستن ماژول رم بسيار زياد است. ضمن اينکه با برداشتن اين هيتسينک، گارانتي رم باطل مي‌شود. جدا کردن هيتسينک را با سه روش مي‌توان انجام داد.


روش اول


در روش اول ماژول رم داخل فريز قرار داده مي‌شود تا کاملا در دماي انجماد قرار گيرد. اين کار باعث مي‌شود تا خمير حرارتي که روي چيپ‌هاي حافظه قرار گرفته، سفت شده و چسبندگي بين چيپ و هيتسينک به حداقل برسد. با اين کار جدا کردن هيتسينک بسيار راحت‌تر خواهد شد.


مزاياي اين روش


- قرار دادن ماژول حافظه داخل فريز تقريبا بي‌خطر است چرا که فريز مانند يک محفظه آنتي استاتيک عمل مي‌کند


- انجماد خمير حرارتي سبب مي‌شود تا بيشتر خمير از سطح چيپ جدا شود و به هيتسينک بچسبد.


بنابراين بعد از جدا کردن هيتسينک، تميز کردن چيپ حافظه بسيار ساده‌تر خواهد شد.


معايب اين روش


- ممکن است باعث ترک برداشتن چيپ حافظه شود


- ممکن است باعث جداشدن چيپ حافظه از بورد شود.


روش دوم


روش بعدي استفاده از يک گرمکن(وزنده باد گرم) است. خشک کن موي سر وسيله‌اي است که تقريبا در دسترس همه است. باد گرم سبب نرم شدن و شل شدن خمير حرارتي خواهد شد.


مزاياي اين روش


- سريع‌تر از روش انجماد است


معايب اين روش


- گرما ممکن است به چيپ‌هاي حافظه آسيب وارد کند.


- گرما نيز مي‌تواند باعث خارج شدن چيپ حافظه از روي بورد شود.


روش سوم


اين روش در صورتيکه خمير حرارتي خيلي محکم و چسبنده نباشد از دو روش ديگر بهتر جواب مي‌دهد. تقريبا براي اکثر ماژول‌هاي حافظه کنوني از اين روش مي‌توان استفاده کرد. در اين روش ابتدا با يک پيچ گوشتي دوسو يک طرف هيتسينک را کمي بالا برده و نوک پيچ گوشتي را زير هيتسينک قرار داده تا هيتسينک کمي بالا بماند.(تصوير شماره1) سپس يک چاقوي بسيار نازک و تيز برداشته و آن را زير هيتسينک بکشيد تا خمير حرارتي را از روي چيپ‌هاي حافظه حرکت دهد.


براي اينکه ايده‌اي در مورد نوع چاقو و پيچ گوشتي مورد نياز داشته باشيد، مي‌توانيد از تصوير شماره2 کمک بگيريد. براي راحتي کار بهتر است ابتد از يک سمت ماژول، پيچ گوشتي( يا هر وسيله که بتواند اين کار را انجام دهد) را زير هيتسينک قرار داده و چاقو را تا نصف ماژول حرکت دهيد. سپس بدون اينکه پيچ گوشتي را جابه‌جا کنيد با يک پيچ گوشتي ديگر اين کار را براي سمت ديگر و نصف ديگر آن انجام دهيد.


بعد از اينکه هيتسينک را به طور کامل از روي ماژول جدا کرديد با چيزي مشابه تصوير شماره 3 مواجه مي‌شويد. در اين مرحله بايد ماژول را کاملا تميز کرد.


براي تميز کردن چيپ‌هاي حافظه انگشت دست خود را به آرامي روي چيپ‌هاي حافظه بکشيد تا خمير موجود روي آن به صورت پوست پوست از روي آن پاک شود.(تصوير شماره5)


در صورتيکه اسپري پاک کننده مخصوص بوردهاي الکترونيکي در دسترس بود، مي‌توانيد از آن براي تميزي بهتر چيپ‌ها استفاده کنيد. به علاوه استون نيز حلال بسيار مناسب و کارآيي براي پاک کردن خمير حرارتي به حساب مي‌آيد.


عمليات پاک کردن خمير حرارتي از روي چيپ حافظه را آنقدر انجام دهيد تا روي چيپ‌ها کاملا پاک شوند.(تصوير شماره6)


نصب خنک‌کننده لوله‌اي جديد براي ماژول حافظه


همانند پردازنده و کارت گرافيکي، ماژول‌هاي حافظه نيز داراي خنک‌کننده‌هاي پيشرفته نسبت به خنک‌کننده معمولي همراه آنها هستند. در شکل بالاي صفحه نمونه‌اي از اين خنک‌کننده‌ها براي ماژول‌هاي حافظه نمايش داده شده است. اين خنک‌کننده‌ها کارآيي به مراتب بالاتري نسبت به خنک‌کننده‌هاي معمولي داشته به طوريکه علاوه بر خنک‌کردن بهتر، فضاي بيشتري براي اورکلاک ماژول‌هاي حافظه در اختيار کاربر قرار مي‌دهد.


خنک‌کننده‌اي که در بالاي صفحه نشان داده شده مدل HXR-5500 ساخت Nexus بوده که از نوع هيتسينک و لوله است.


اين نوع خنک‌کننده‌هاي حافظه که به صورت جداگانه به فروش مي‌رسند، معمولا يک ورقه اسفنجي چسبي دارند که بين دو ورقه‌ اصلي خنک کننده قرار مي‌گيرد.اين جدا کننده در يک طرف خود چسب دارد. اگر ماژول حافظه شما از نوع يک طرفه باشد (چيپ‌هاي حافظه در يک سمت بورد آن قرار گرفته باشد) بايد اين جدا کننده را روي سمتي که چيپ حافظه ندارد بچسبانيد.


براي نصب خنک‌کننده جديد کافي است محافظ چسبنده قرار گرفته روي هر دو هيتسينک را باز کرده و ماژول حافظه را روي يکي از آنها قرار دهيد. توجه داشته باشيد که شيارهاي لبه‌هاي رم که براي قفل شدن ماژول روي اسلات رم استفاده مي‌شود، توسط هيتسينک پوشانده نشود.


ضمن اينکه بعضي از خنک‌کننده‌هاي لوله‌اي حافظه، در يک جهت طول رم را بيشتر مي‌کنند که مي‌تواند سبب برخورد رم با کارت گرافيکي هنگام قرار گرفتن روي مادربورد شود. در اين صورت توجه داشته باشيد که هيتسينک را در جهتي روي ماژول بچسبانيد که باعث بروز چنين مشکلي نشود. بعد از اطمينان از صحت جهت چسباندن هيتسينک به ماژول، طرف ديگر هيتسينک را نيز روي ماژول قرار دهيد. ضمن اينکه اگر بيشتر از يک ماژول حافظه داريد براي زيبايي ظاهر سيستم، بهتر است هيتسينک تمامي ماژول‌ها را در يک جهت و به يک شکل بچسبانيد.


در مرحله آخر در صورت وجود، پيچ تعبيه شده روي هيتسينگ ماژول را ببنديد.

مهمترین عوامل خرابی رم

صفحه آبی که در هنگام نصب ویندوز ۲۰۰۰ یا ایکس پی ظاهر می شود یکی از شایع ترین نشانه های ایراد در حافظه موقت است. صفحه آبی و خطاهای مختلف اتفاقی و ناگهانی در هنگام راه اندازی ویندوزهای ۲۰۰۰ و XP البته این مسأله می تواند عامل های دیگری نیز داشته باشد. هنگ کردن سیستم زمانی که از رم به صورت شدید کار کشیده می شود- مثل اجرای بازیهای سه بعدی، کامپایل کردن، رندر کردن، بعضی از نرم افزارها شبیه فوتوشاپ و غیره. ظاهر شدن خطوط رنگی بر روی صفحه مانیتور و همچنین به هم ریختن گرافیک در حال نمایش که البته این مسأله می تواند ناشی از عدم کارکرد صحیح کارت گرافیک نیز باشد. مشکل در بوت شدن سیستم که همراه با بوق های ممتد و یا نوع هشداری که در بایوس مادربرد برای اختلالات رم قرار داده شده باشد. بهترین راه تست مشکلات رم جایگزین کردن آن با یک رم دیگر است.
● مهمترین عوامل خرابی رم:
▪ شوک الکتریکی
یکی از توصیه های شرکت های سازنده قطعات سخت افزاری استفاده از مچ بند های آنتی شوک است. بدن شما در صورت اصطکاک و مالش با محیط اطراف مقداری الکتریسیته ساکن در خودش ذخیره می کند و این الکتریسیته ساکن تا زمانی که در بدن شما وجود داشته و تخلیه نشده باشد می تواند یکی از خطرناکترین و نامرئی ترین دشمنان قطعات سخت افزاری شما باشد.
▪ ولتاژ نامناسب
افزایش ناگهانی ولتاژ برق مورد استفاده سیستم و یا منبع تأمین انرژی معیوبی که جریان سیالی برای سیستم فراهم نکند و دارای نوسان باشد می تواند گاه ناگهانی به مموری و رم شما آسیب برساند و گاه این عمل به تدریج رخ می دهد همچنین بالابردن ناآگاهانه ولتاژ مورد استفاده رم توسط تنظیمات مادربرد نیز می تواند عامل مؤثری در معیوب کردن حافظه موقت کامپیوتر باشد.
▪ گرد و خاک یا رطوبت
اگر کامپیوتر شما برای قرن های متمادی(!) کنج اتاق فقط کار کرده است و حتی یک بار هم در آن باز نشده و درون آن نظافت نشده پس بهتره همین الان بهش یه حال اساسی بدید و داخل آنرا از گرد و خاک کاملاً پاک کنید. وجود گرد و خاک هم به صورت عایق حرارتی باعث افزایش گرما بر روی مدارها می شود و هم می تواند با قرار گرفتن بین اتصالات باعث قطع جریان و ایجاد اختلال شود. همچنین وجود رطوبت باعث زنگ زدگی و پایین آمدن راندمان کار وسایل کامپیوتری می شود.
▪ حمل و جابجایی نامناسب
این عامل بیشترین ضرر را به رم می زند. مجموعه ای از مدارات و وسایل ریز الکترونیکی که با کوچکترین بی دقتی حتی از روی برد نیز کنده می شوند به همین دلیل رم های قابدار برای کسانی که دائما رم خود را جابجا می کنند توصیه می شود.
▪ Slot واقع بر روی مادر برد برای قرار دادن رم
محل نصب رم بر روی مادر برد یا DIMM نیز بسیار باید مورد توجه قرار گیرد. همانقدر که این عوامل بر روی خود رم تأثیر می گذارند می توانند بر روی DIMM ها اثر گذار باشند پس از چک کردن و بررسی آنها نیز غافل نشوید.