نوع جدیدی از حافظه ساخته شد: حافظه مقاومتی٬ ۲۰ برابر سریعتر از ناند فلش
در حوزه توسعه و ساخت حافظه ها٬ هرگز کمبود آزمایش و تجربیات جدید حس نشده. اما شرکتی به نام Crossbar توانسته به دستاوردی جدید برسد که نام آن را حافظه مقاومتی (resistive RAM) گذاشته. محصولی که می تواند ناند فلش را به سادگی پشت سر بگذارد.
با اندازه ای نصف رم های ناند٬ حافظه مقاومتی می تواند ۲۰ برابر سریع تر عمل کند -یعنی ۱۴۰ مگابایت در ثانیه- و در نتیجه یک دستاورد پولساز به شمار می رود. در عین حال ۲۰ برابر کم مصرف تر نیز هست و با عمری ۱۰ برابر بیشتر از ناند فلش٬ داده ها را با سرعت ۱۷ مگابایت بر ثانیه می خواند.
مهم تر اینکه ساختار سه بعدی آن تراکم داده فوق العاده ای را به ارمغان می آورد: چیپی با مساحت ۲۰۰ میلی متر مربع قادر به ذخیره سازی ۱ ترابایت داده است. (بگذریم٬ این اصلا رقابت منصفانه ای نیست!)
این نوع جدید از رم که به زودی آماده استفاده در دستگاه ها می شود٬ از ساختاری سه لایه بهره می برد که می تواند در سه بعد نیز فشرده شود٬ اما در عین حال٬ تولید آن در کارخانه های امروزی امکان پذیر است. و حتی فراتر٬ نیازی به تغییر زیرساخت های تولیدی نیز ندارد.
قرار است این رم جدید ابتدا در چیپ های مجتمع توکار (embedded SoC) استفاده شود. با توجه به اینکه شرکت Crossbar پتنت های انحصاری این محصول را در دست دارد٬ باید به انتظار تعیین قیمت نشست. اما بعید است چیزی به هزینه های مصرف کننده اضافه شود.
